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晶体管
IRFSL7537PBF参考图片

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IRFSL7537PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
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数量单价合计
1
¥20.7468
20.7468
10
¥17.5941
175.941
100
¥14.0572
1405.72
500
¥12.2944
6147.2
1,000
¥10.2152
10215.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
173 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
210 nC
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
190 S
下降时间
84 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
82 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001578438
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IRFSL7537PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series
450:¥25.7414
900:¥23.052
1,350:¥19.436
2,700:¥18.5207
参考库存:35021
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥23.9786
10:¥20.4417
100:¥17.6732
250:¥16.7466
1,000:¥12.6786
2,000:查看
参考库存:4675
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 6.0 mo FET
1:¥8.6106
10:¥7.3902
100:¥5.6839
500:¥5.0172
1,000:¥3.9663
1,500:¥3.9663
参考库存:15897
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
参考库存:35028
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32V 2A
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:4540
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