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晶体管
IKQ120N60TXKSA1参考图片

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IKQ120N60TXKSA1

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库存:4,437(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥92.5131
92.5131
10
¥85.0664
850.664
25
¥81.5295
2038.2375
100
¥71.8454
7184.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
833 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKQ120N60T SP001138292
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,IKQ120N60TXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:17246
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
参考库存:17249
晶体管
MOSFET BUK7K17-80E/SOT1205/
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2037
500:¥5.4805
参考库存:17252
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
1:¥4.6104
10:¥3.5595
100:¥2.6442
500:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.6724
参考库存:17255
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH
5,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
25,000:¥2.9606
参考库存:17258
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