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晶体管
BC847W,135参考图片

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BC847W,135

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
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数量单价合计
1
¥0.92208
0.92208
10
¥0.89157
8.9157
100
¥0.31527
31.527
1,000
¥0.2147
214.7
10,000
¥0.13786
1378.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Nexperia
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
/T3 BC847W
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BC847W,135的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
1:¥37.8776
10:¥33.8096
100:¥30.8151
250:¥27.8206
参考库存:4353
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥497.539
5:¥482.4761
10:¥468.2607
25:¥439.0615
参考库存:4193
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:4431
晶体管
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.4579
10:¥4.407
100:¥3.3448
500:¥2.7685
3,000:¥2.0001
6,000:查看
参考库存:169808
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:11918
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