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晶体管
SQP100N04-3M6_GE3参考图片

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SQP100N04-3M6_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:5,260(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.2098
15.2098
10
¥12.6786
126.786
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
135 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
200 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SQP100N04-3M6_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 1A 4PIN
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,000:¥1.2317
参考库存:4501
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
参考库存:4012
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
1:¥6.1472
10:¥4.9946
100:¥4.1584
500:¥3.2092
3,000:¥2.5764
9,000:查看
参考库存:3591
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms
1:¥26.3516
10:¥22.3627
100:¥19.436
250:¥18.4416
参考库存:4334
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
1:¥104.5815
10:¥96.1291
25:¥92.1289
100:¥81.2244
参考库存:3410
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