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晶体管
NSS1C201MZ4T3G参考图片

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NSS1C201MZ4T3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V LO VCE(SAT) TRA NPN
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.729
37.29
100
¥2.2713
227.13
1,000
¥1.7515
1751.5
4,000
¥1.5029
6011.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
180 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS1C201MZ4
直流电流增益 hFE 最大值
150
高度
1.57 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，NSS1C201MZ4T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA427DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V
1:¥4.5313
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.6385
参考库存:14179
NVLJD4007NZTBG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:6284
SIHP30N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥46.2622
10:¥38.2618
100:¥31.5044
250:¥30.51
参考库存:4143
STF10N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
参考库存:7204
SUP57N20-33-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V 57A 300W
1:¥36.1148
10:¥29.8885
100:¥24.5888
250:¥23.8204
500:¥21.357
参考库存:4043
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