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晶体管
NSS1C201MZ4T3G参考图片

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NSS1C201MZ4T3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V LO VCE(SAT) TRA NPN
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库存:12,030(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.729
37.29
100
¥2.2713
227.13
1,000
¥1.7515
1751.5
4,000
¥1.5029
6011.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
180 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS1C201MZ4
直流电流增益 hFE 最大值
150
高度
1.57 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,NSS1C201MZ4T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:9732
晶体管
MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.1357
3,000:¥1.808
参考库存:7275
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0286
500:¥6.215
1,000:¥4.9155
2,500:¥4.9155
参考库存:34944
晶体管
MOSFET 12V Enh Mode FET
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.81473
参考库存:9516
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥35.3464
10:¥30.0467
100:¥26.0465
250:¥24.6679
1,000:¥18.6676
2,000:查看
参考库存:4414
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