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晶体管
IRGP4066DPBF参考图片

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IRGP4066DPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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库存:3,947(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥82.4448
82.4448
10
¥75.8456
758.456
25
¥72.6929
1817.3225
100
¥64.0032
6400.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001545048
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4066DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥6.8365
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
参考库存:9121
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp
1:¥6.5314
10:¥5.6839
2,500:¥5.6839
参考库存:14661
晶体管
MOSFET 42V 2.0A
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:15330
晶体管
MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:122600
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP high power double bipolar trans
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
1,500:¥1.695
参考库存:8976
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