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晶体管
IRGP4066DPBF参考图片

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IRGP4066DPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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库存:3,947(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥82.4448
82.4448
10
¥75.8456
758.456
25
¥72.6929
1817.3225
100
¥64.0032
6400.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001545048
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4066DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
1,000:¥3.9098
5,000:¥3.9098
参考库存:23615
晶体管
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -1A
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:2779
晶体管
IGBT 模块 600V 100A Dual
100:¥506.5338
参考库存:33292
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
1:¥1.1526
10:¥1.01474
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:479609
晶体管
MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.3506
500:¥4.972
3,000:¥3.616
6,000:查看
参考库存:55707
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