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晶体管
STF28N60M2参考图片

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STF28N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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数量单价合计
1
¥32.4988
32.4988
10
¥27.6624
276.624
100
¥23.9786
2397.86
250
¥22.7469
5686.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF28N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF28N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥43.7988
50:¥41.1885
1,500:¥28.2048
参考库存:6617
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:31909
晶体管
MOSFET P-CH -250V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
2,000:¥5.5709
参考库存:3853
晶体管
MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp
1:¥16.3624
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥9.2999
1,000:¥7.6727
3,000:¥6.6331
参考库存:5159
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 PowerDI3333-8 T&R 2K
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
2,000:¥0.77631
10,000:¥0.72998
参考库存:34279
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