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晶体管
TSC136CZ C0G参考图片

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TSC136CZ C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.9719
297.19
500
¥2.1809
1090.45
1,000
¥1.6385
1638.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
30
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Taiwan Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
4
Pd-功率耗散
60 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，TSC136CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2401,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:25353
MX0912B351Y
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,510.8196
2:¥3,221.517
5:¥2,891.331
10:¥2,560.693
参考库存:25356
NVMFS6B03NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T5 100V LL S08FL
1,500:¥22.6678
参考库存:25359
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:25362
NGTB50N65FL2WAG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50 FAST IGBT FSII TO
1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:4932
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