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晶体管
NTF3055L108T1G参考图片

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NTF3055L108T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V 3A N-Channel
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库存:32,116(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7403
37.403
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.9323
1932.3
2,000
¥1.6272
3254.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
7.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.57 mm
长度
6.5 mm
系列
NTF3055L108
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5.7 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
250 mg
商品其它信息
优势价格,NTF3055L108T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
3,000:¥18.984
参考库存:6949
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥46.5673
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.5779
500:¥29.1992
参考库存:4944
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:13156
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥6.9947
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
1,500:¥2.8476
9,000:查看
参考库存:10776
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL 22kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:13660
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