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晶体管
IRF6218PBF参考图片

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IRF6218PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SP001564812
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF6218PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
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1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:12275
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1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
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1:¥1.695
10:¥1.1526
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
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双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.07576
10:¥0.97632
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:32525
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