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晶体管
STD1NK80Z-1参考图片

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STD1NK80Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A
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库存：4,132(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.232
72.32
100
¥5.5596
555.96
500
¥4.9155
2457.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
16 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
7.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STQ1NK80ZR-AP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD1NK80Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC124EEBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:45704
BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.8871
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:45707
DRC2124T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:45710
NVMFS5C430NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
5,000:¥4.3618
10,000:¥4.2036
参考库存:45713
RJK6014DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥28.0466
10:¥24.973
25:¥22.5096
50:¥21.5152
参考库存:45716
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