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晶体管
STD1NK80Z-1参考图片

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STD1NK80Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A
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库存:4,132(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.232
72.32
100
¥5.5596
555.96
500
¥4.9155
2457.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
16 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
7.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STQ1NK80ZR-AP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD1NK80Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3849
晶体管
MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.8421
10:¥4.859
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
2,500:¥2.2487
参考库存:12436
晶体管
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
2,500:¥2.6442
10,000:查看
参考库存:8693
晶体管
MOSFET N-CHAN 40V 100A
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.6106
500:¥7.4806
参考库存:7090
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:19564
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