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晶体管
IRFH5020TRPBF参考图片

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IRFH5020TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC
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数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0738
7073.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.7 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9.3 ns
零件号别名
SP001575478
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥5.4579
500:¥4.8251
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10,000:查看
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1:¥3.616
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100:¥1.4916
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.9605
9,000:¥0.89948
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1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.142
参考库存:3916
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