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晶体管
IRFP7430PBF参考图片

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IRFP7430PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 40V 195A 1.4mOhm HEXFET 366W 300nC
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库存:5,597(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.5889
26.5889
10
¥22.5887
225.887
100
¥19.5942
1959.42
250
¥18.5998
4649.95
500
¥16.6788
8339.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
404 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
460 nC
Pd-功率耗散
366 W
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001554970
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRFP7430PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥6.3732
10,000:¥6.1359
参考库存:27643
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,586.3553
参考库存:27646
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.8928
10,000:¥2.7798
25,000:¥2.7007
参考库存:27649
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:27652
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,266.8656
参考库存:27655
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