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晶体管
NVTFS6H888NWFTAG参考图片

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NVTFS6H888NWFTAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T8 80V U8FL
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数量单价合计
1,500
¥4.4296
6644.4
9,000
¥4.2601
38340.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
18 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
18.5 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
优势价格,NVTFS6H888NWFTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.2996
10:¥2.1131
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.52997
参考库存:11158
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
参考库存:13935
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,000:¥1.6724
参考库存:5700
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6385
参考库存:4348
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150mA 300V NPN
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:7713
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