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晶体管
SQM100N04-2M7_GE3参考图片

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SQM100N04-2M7_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
  • 数据手册下载
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库存:30,212(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5998
18.5998
10
¥15.4471
154.471
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.4525
5226.25
800
¥8.6784
6942.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
145 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
157 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
201 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,SQM100N04-2M7_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥21.5943
10:¥19.5151
100:¥15.6731
500:¥12.1362
参考库存:2092
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
参考库存:6013
晶体管
MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
1:¥6.4523
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.7459
参考库存:17732
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
1:¥4.4522
10:¥3.7629
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.9323
参考库存:22596
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
1:¥44.7932
10:¥38.1149
100:¥33.0412
250:¥31.3462
参考库存:2191
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