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晶体管
APT25GT120BRDQ2G参考图片

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APT25GT120BRDQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
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数量单价合计
1
¥71.077
71.077
10
¥63.9354
639.354
25
¥58.2402
1456.005
100
¥52.5563
5255.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
347 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，APT25GT120BRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MCH6342-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PCH 1.8V Power MOSFE
1:¥3.616
10:¥2.7459
100:¥1.4916
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.9605
参考库存:7606
FF600R12IE4V
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,400.5542
5:¥3,195.6174
参考库存:3356
EMH1FHAT2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.41471
8,000:¥0.35369
参考库存:11355
CSD22206WT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 8V P-CHANNEL FEMTOFET
1:¥6.6105
10:¥5.4579
100:¥3.5369
250:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:8707
IPAN80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥14.9047
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
1,000:¥7.3563
参考库存:4212
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