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晶体管
STGB20NB41LZT4参考图片

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STGB20NB41LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
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库存:4,539(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.0576
5514.4
1,000
¥16.6788
16678.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
12 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB20NB41LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 660 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20NB41LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
1,000:¥13.6052
2,000:查看
参考库存:4352
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:33781
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
1:¥31.9677
10:¥27.1991
100:¥23.5944
250:¥22.3627
参考库存:3346
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:33993
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:12350
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