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晶体管
STGB20NB41LZT4参考图片

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STGB20NB41LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
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库存:4,539(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.0576
5514.4
1,000
¥16.6788
16678.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
12 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB20NB41LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 660 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20NB41LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20 Volt 14 Amp
1:¥17.4472
10:¥14.4414
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
2,500:¥8.1473
参考库存:23422
晶体管
MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.8477
参考库存:2219
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
1:¥12.9837
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
1,000:¥6.3958
参考库存:14668
晶体管
MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥11.4469
100:¥8.3733
500:¥7.119
2,000:¥5.0624
4,000:查看
参考库存:5821
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC-70
1:¥4.1471
10:¥3.164
100:¥2.3504
500:¥1.9323
3,000:¥1.356
6,000:查看
参考库存:3990
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