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晶体管
STGB20NB41LZT4参考图片

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STGB20NB41LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
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库存:4,539(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.0576
5514.4
1,000
¥16.6788
16678.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
12 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB20NB41LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 660 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20NB41LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
4,800:¥4.0454
9,600:查看
参考库存:6613
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:18853
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6614
参考库存:3841
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0681
500:¥5.3675
参考库存:2852
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg
1:¥50.172
10:¥45.3356
25:¥43.2564
100:¥37.5725
参考库存:2968
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