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晶体管
STGB20NB41LZT4参考图片

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STGB20NB41LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
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库存:4,539(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.0576
5514.4
1,000
¥16.6788
16678.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
12 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB20NB41LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 660 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20NB41LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
2,000:¥1.1413
参考库存:48462
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ
1:¥7.684
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
1,000:¥3.4917
参考库存:6077
晶体管
MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
1:¥6.8365
10:¥5.7969
100:¥4.4522
500:¥3.9324
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
参考库存:7233
晶体管
MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET
1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:10156
晶体管
MOSFET PT4 Nch with Zener
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.4919
500:¥6.6105
2,500:¥4.633
10,000:查看
参考库存:5074
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