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晶体管
STGIPN3H60AT参考图片

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STGIPN3H60AT

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
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库存:2,227(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
Pd-功率耗散
8 W
封装 / 箱体
NDIP-26L
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
高度
3.2 mm
长度
29.25 mm
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
系列
STGIPN3H60AT
宽度
12.55 mm
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
476
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格,STGIPN3H60AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching
1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.22261
24,000:查看
参考库存:14693
晶体管
IGBT 晶体管 EcoSPARK2-450V Ignition IGBT
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
2,500:¥6.4184
5,000:查看
参考库存:25218
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
5,000:¥5.6274
10,000:查看
参考库存:12985
晶体管
MOSFET 30V P-Channel PowerTrench
1:¥8.9157
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
2,500:¥4.0906
参考库存:48714
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 1A Medium Power TRANSISTOR
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:23957
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