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晶体管
STW30N65M5参考图片

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STW30N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
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库存:2,392(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥69.0769
69.0769
10
¥62.3986
623.986
25
¥59.551
1488.775
100
¥51.641
5164.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
139 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW30N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh V Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW30N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Multi-ChipTrans Darlington
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.08367
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.70738
参考库存:6141
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1:¥5.2997
10:¥3.8872
100:¥2.4408
500:¥1.9775
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6724
参考库存:4821
晶体管
MOSFET NCH 1.8V DRIVESERIES
1:¥2.9945
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.73789
参考库存:11351
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
1:¥12.2153
10:¥10.0683
100:¥7.684
参考库存:5510
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:32427
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