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晶体管
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FQI7N80TU

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库存:29,119(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9158
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI7N80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
95 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
FQI7N80TU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,FQI7N80TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
156:¥65.9242
312:¥62.6246
624:¥58.6244
1,092:¥53.788
参考库存:31924
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
2,500:¥1.8419
5,000:¥1.7176
10,000:¥1.6498
25,000:¥1.5933
50,000:¥1.5255
参考库存:31927
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 10A 250mA
1,600:¥5.7065
参考库存:31930
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:31933
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
2,500:¥5.5596
5,000:¥5.3562
10,000:¥5.1528
参考库存:11583
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