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晶体管
CGH40006P参考图片

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CGH40006P

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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1
¥346.7744
346.7744
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.75 A
输出功率
9 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
440109
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
2.79 mm
长度
4.19 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
5.21 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGH40006P-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH40006P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series
450:¥25.7414
900:¥23.052
1,350:¥19.436
2,700:¥18.5207
参考库存:35021
晶体管
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1:¥23.9786
10:¥20.4417
100:¥17.6732
250:¥16.7466
1,000:¥12.6786
2,000:查看
参考库存:4675
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 6.0 mo FET
1:¥8.6106
10:¥7.3902
100:¥5.6839
500:¥5.0172
1,000:¥3.9663
1,500:¥3.9663
参考库存:15897
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
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晶体管
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1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:4540
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