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晶体管
FMMT591AQTA参考图片

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FMMT591AQTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V PNP Med PWR 350mOhm -500mV -1A
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7459
27.459
100
¥1.6724
167.24
1,000
¥1.2995
1299.5
3,000
¥1.10627
3318.81
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 200 mV
最大直流电集电极电流
- 1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMMT591
直流电流增益 hFE 最大值
800 at - 100 mA, - 5 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at - 100 mA, - 5 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，FMMT591AQTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI5402DC-T2
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
暂无价格
参考库存:45120
RJK5020DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥63.4721
10:¥57.0876
25:¥52.0252
50:¥48.251
参考库存:45123
RJH60M3DPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥27.12
10:¥24.2046
25:¥21.8203
50:¥20.8259
参考库存:45126
MMBT2907ALT1HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.7628
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:45129
TSM70N750CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 6A, 750mOhm
1:¥13.0628
10:¥11.6051
100:¥9.1417
500:¥7.0964
2,500:¥5.0737
5,000:查看
参考库存:45132
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