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晶体管
FQD10N20CTM参考图片

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FQD10N20CTM

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库存:10,623(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6612
36.612
100
¥2.3617
236.17
1,000
¥1.8871
1887.1
2,500
¥1.5933
3983.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
7.8 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD10N20C
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
92 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
FQD10N20CTM_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD10N20CTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7A TO220FP-3
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0511
500:¥4.4635
1,000:¥3.5143
参考库存:4440
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual MatchedNPN Tra
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:16275
晶体管
IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
800:¥9.1417
参考库存:5989
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.3KA
1:¥5,924.8273
5:¥5,830.1559
参考库存:42896
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 400V 0.5A
1:¥6.3054
10:¥5.198
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.2713
参考库存:6950
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