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晶体管
FQD18N20V2TM参考图片

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FQD18N20V2TM

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库存:16,647(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.605
9.605
10
¥8.2264
82.264
100
¥6.2602
626.02
500
¥5.537
2768.5
1,000
¥4.3731
4373.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD18N20V2
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
62 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
133 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD18N20V2TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 10A 60V TR
1:¥4.4522
10:¥3.6725
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
2,500:¥1.4803
参考库存:5733
晶体管
MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2715
500:¥5.5483
1,000:¥4.3844
参考库存:4509
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 20MA
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:9815
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:28712
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 60V 1A
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
2,000:¥1.7628
参考库存:6136
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