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晶体管
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FS150R12KE3

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数量单价合计
1
¥1,470.7176
1470.7176
5
¥1,435.3712
7176.856
10
¥1,399.7197
13997.197
25
¥1,380.0464
34501.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
205 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封装 / 箱体
EconoPACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
35.6 mm
宽度
25.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R12KE3BOSA1 SP000100417
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,FS150R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
2,500:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:7162
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
1:¥26.668
100:¥25.5832
500:¥24.3628
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847CQA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:12389
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Vceo 2A Ic MPT3
1:¥3.9211
10:¥2.9493
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.03734
参考库存:7440
晶体管
MOSFET WL-CSP Dual Nch MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.6104
100:¥3.2318
500:¥2.9945
1,000:¥2.6103
参考库存:5677
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