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晶体管
IPB180N10S4-02参考图片

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IPB180N10S4-02

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库存:6,785(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.3355
43.3355
10
¥36.8832
368.832
100
¥31.9677
3196.77
250
¥30.2727
7568.175
1,000
¥22.8938
22893.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
156 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB180N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPB180N10S402ATMA1 SP001057184
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB180N10S4-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4521
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:27882
晶体管
MOSFET TO-leadless, PT8, 40V
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
2,000:¥14.5996
4,000:查看
参考库存:6745
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC
1:¥6.9156
10:¥5.9438
100:¥4.5765
500:¥4.0341
1,000:¥3.1866
4,000:¥3.1866
参考库存:15316
晶体管
MOSFET 25V NCH NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
250:¥12.6786
500:¥11.0627
参考库存:6904
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:6552
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