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晶体管

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MRF175LU

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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
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583.2156
10
¥547.8692
5478.692
25
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13387.3925
50
¥523.1222
26156.11
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
13 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
333-4
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
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