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晶体管
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BS170

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库存:33,977(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.1526
115.26
1,000
¥0.88366
883.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
830 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BS170
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.32 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BS170_NL
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,BS170的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,705.9271
参考库存:40552
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥157.1378
10:¥142.8433
25:¥132.1648
50:¥125.0232
参考库存:40555
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥38.8833
100:¥37.0414
250:¥32.3519
500:¥31.4253
参考库存:40558
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
50:¥1,144.9951
参考库存:40561
晶体管
IGBT 模块 Intelligent Pwr Mod 600V 12A 3Phase IGBT
1:¥132.2439
10:¥121.5654
25:¥116.5708
100:¥102.6605
参考库存:5721
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