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晶体管
SUP90P06-09L-E3参考图片

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SUP90P06-09L-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V
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数量单价合计
1
¥43.0304
43.0304
10
¥35.6515
356.515
100
¥29.3574
2935.74
250
¥28.4308
7107.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
7.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
240 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
300 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SUP90P06-09L-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJE172STU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥3.5369
10:¥2.9041
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,500:¥1.1639
参考库存:5438
CZT853 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200Vcbo 100Vceo 6.0Vebo 6.0A 3.0W
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:6430
NSBC124XF3T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:26045
TK9A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86
1:¥15.594
10:¥12.5204
100:¥10.0683
500:¥8.8366
参考库存:26048
TK13A55DA(STA4,QM)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48
1:¥22.1254
10:¥17.8314
100:¥16.2155
250:¥14.6787
参考库存:26051
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