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晶体管
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BSM200GB120DLC

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数量单价合计
1
¥1,372.3624
1372.3624
5
¥1,339.3212
6696.606
10
¥1,306.054
13060.54
25
¥1,287.7593
32193.9825
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
420 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1550 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GB120DLCHOSA1 SP000100715
商品其它信息
优势价格，BSM200GB120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPI70N12S311AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:4271
IPP80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥14.9047
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
1,000:¥7.3563
参考库存:3804
SD4931
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
1:¥614.72
5:¥603.42
10:¥576.30
25:¥557.09
参考库存:24388
BCX71K
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP/ 45V/ 500mA
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:5343
MRF6S20010NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
1:¥297.4499
5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
500:¥214.6096
参考库存:24393
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