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晶体管
UM6J1NTN参考图片

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UM6J1NTN

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 0.2A 6PIN
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库存:44,651(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.0171
30.171
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.05316
3159.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
UM6J1N
晶体管类型
2 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.2 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
UM6J1N
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,UM6J1NTN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 150Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥17.515
10:¥14.5996
100:¥11.30
500:¥9.9101
参考库存:3593
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 450A 1200V
1:¥3,830.7791
5:¥3,599.954
参考库存:3105
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:11848
晶体管
IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥27.2782
10:¥23.2102
100:¥20.0575
250:¥19.0518
参考库存:3705
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2.5/3.3V 4:1 DIFF MUX
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:7572
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