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晶体管
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BSC011N03LSTATMA1

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数量单价合计
1
¥17.063
17.063
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.4524
8452.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
6.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
BSC011N03LST SP001657064
商品其它信息
优势价格,BSC011N03LSTATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥254.1822
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10:¥3.4239
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1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
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