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晶体管
FDN5632N-F085参考图片

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FDN5632N-F085

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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7855
37.855
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.7854
1785.4
3,000
¥1.5255
4576.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
98 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
UltraFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN5632N_F085
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power Trench MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
1.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.2 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FDN5632N_F085
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDN5632N-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA
1:¥13.5261
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:4635
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:4495
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥8.4524
10:¥7.5258
100:¥5.9438
500:¥4.6104
1,000:¥3.6386
2,000:¥3.2996
参考库存:15198
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl
1:¥3.3787
10:¥2.599
100:¥1.4125
1,000:¥1.05994
3,000:¥0.91417
9,000:¥0.85315
参考库存:22562
晶体管
JFET TAPE7 FET-RFSS
1:¥4.0002
10:¥3.5482
25:¥3.2092
100:¥2.8024
3,000:¥1.5255
6,000:查看
参考库存:12857
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