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晶体管
TPH6400ENH,L1Q参考图片

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TPH6400ENH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
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库存:5,505(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.8252
3412.6
5,000
¥5.0737
25368.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH6400ENH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPH6400ENH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 28A 22mOhm 32nC Log Lvl
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
1,000:¥4.972
参考库存:2645
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp
1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9156
500:¥5.989
800:¥5.989
参考库存:2615
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 60V 6A
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
2,500:¥1.2882
参考库存:4234
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:11819
晶体管
MOSFET N-channel 13.0mohm MOSFET
1:¥3.0736
10:¥3.0397
25:¥2.6103
100:¥2.4295
3,300:¥2.1018
9,900:查看
参考库存:2865
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