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晶体管
DMN3012LDG-7参考图片

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DMN3012LDG-7

  • Diodes Inc. / Pericom
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 1K
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数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.215
3107.5
1,000
¥4.9042
4904.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms, 6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC, 12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
27 S, 46 S
下降时间
2.3 ns, 2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.7 ns, 3.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 4.4 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP15NK50ZFP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N Ch 500V Zener SuperMESH
1:¥29.5043
10:¥25.0521
100:¥21.7412
250:¥20.6677
参考库存:2274
BCV72
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23 NPN GP AMP
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:21176
VN4012L-G P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.0626
10:¥8.3733
25:¥6.9947
100:¥6.3054
250:¥5.876
2,000:¥5.876
参考库存:21891
VN4012L-G P014
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.0626
10:¥8.3733
25:¥6.9947
100:¥6.3054
250:¥5.876
2,000:¥5.876
参考库存:21894
TP2640N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.379
10:¥8.6106
25:¥7.1416
100:¥6.5314
250:¥6.0794
2,000:¥6.0794
参考库存:21897
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