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晶体管
STGW40M120DF3参考图片

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STGW40M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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库存:2,315(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥82.2188
82.2188
10
¥74.3088
743.088
25
¥70.851
1771.275
100
¥61.5511
6155.11
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40M120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:5901
晶体管
MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
3,000:¥3.6838
参考库存:8390
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
参考库存:2968
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5260PAPS/HUSON6/REEL 7" Q1
1:¥4.068
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:7896
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
参考库存:5812
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