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晶体管
STGW40M120DF3参考图片

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STGW40M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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库存:2,315(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥82.2188
82.2188
10
¥74.3088
743.088
25
¥70.851
1771.275
100
¥61.5511
6155.11
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40M120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC144TMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:11688
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.4014
100:¥4.1471
500:¥3.6612
2,500:¥2.5651
10,000:查看
参考库存:4202
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥22.826
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
参考库存:1857
晶体管
MOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
1:¥76.9191
10:¥69.5402
25:¥66.3084
100:¥57.5509
250:¥54.9406
参考库存:2434
晶体管
IGBT 晶体管 650V/30A FAST IGBT FSII T
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.8148
250:¥23.5153
参考库存:1830
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