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晶体管
SSM6K406TU,LF参考图片

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SSM6K406TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V
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库存:15,917(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0793
40.793
100
¥2.2487
224.87
1,000
¥1.7402
1740.2
3,000
¥1.5368
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UF-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SSM6K406TU
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
5.5 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,SSM6K406TU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -60V AEC-Q101 Qualified
1:¥25.8996
10:¥21.4361
100:¥17.6732
250:¥17.1308
参考库存:3384
晶体管
MOSFET 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
3,000:¥3.5934
参考库存:44044
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥8.5315
10:¥7.2433
100:¥5.5709
500:¥4.9155
1,000:¥3.8872
2,500:¥3.8872
参考库存:4131
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
1:¥43.7197
10:¥37.1092
100:¥32.1937
250:¥30.51
500:¥27.4364
参考库存:3193
晶体管
MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM
1:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
参考库存:2860
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