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晶体管
FF100R12RT4参考图片

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FF100R12RT4

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 IGBT Module w/ IGBT & Diode
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库存:2,815(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥420.2357
420.2357
5
¥410.7889
2053.9445
10
¥394.7994
3947.994
25
¥382.053
9551.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
555 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF100R12RT4HOSA1 SP000624754
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格,FF100R12RT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK9615-100E/D2PAK/REEL 13" Q1
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9495
800:¥5.4918
参考库存:19832
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
2,500:¥0.87575
10,000:¥0.81473
参考库存:445635
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
3,000:¥3.4578
参考库存:19837
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:19840
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥40.1828
10:¥34.1938
100:¥29.5834
250:¥28.1257
800:¥21.2892
2,400:查看
参考库存:6443
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