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晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	89 A
Rds On-漏源导通电阻	9.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.8 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	82 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	211 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel 100 V 9.6 mOhms Standard Level MOSFET in TO220
宽度	4.7 mm
商标	Nexperia
下降时间	22.8 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	25.2 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	52.2 ns
典型接通延迟时间	22 ns
单位重量	6 g

商品其它信息

优势价格，PSMN9R5-100PS,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDMS86580-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET	1:¥7.8422 10:¥6.6444 100:¥5.0963 500:¥4.4974 3,000:¥3.1527 9,000:查看	参考库存:6741
IFCM20T65GDXKMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IFPS MODULES	1:¥106.8867 10:¥98.2761 25:¥94.2081 100:¥82.9872	参考库存:4023
AIKW50N60CTXKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 DISCRETES	1:¥60.3985 10:¥54.5564 25:¥52.0252 100:¥45.1774	参考库存:4235
FS50R07W1E3B11ABOMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥336.7852 5:¥329.3385 10:¥314.2756 25:¥301.0546	参考库存:3776
DTA143ZEFRATL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC	1:¥1.5368 10:¥1.3899 100:¥0.49155 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:12759