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晶体管
RYM002N05T2CL参考图片

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RYM002N05T2CL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET .9V DRIVE N-Ch MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.147
21.47
100
¥0.92208
92.208
1,000
¥0.70738
707.38
2,500
¥0.53788
1344.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RYM002N05
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
43 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
RYM002N05
商品其它信息
优势价格，RYM002N05T2CL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMX3NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-363
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:40951
RJH1CD7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥41.6518
10:¥37.1883
25:¥33.5045
50:¥31.9677
参考库存:40954
AGR18045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 49Watt Gain 15dB
1:¥571.5314
5:¥524.433
10:¥470.645
25:¥416.857
参考库存:40957
RJH60A83RDPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥16.9839
10:¥15.2889
25:¥13.673
100:¥12.2944
参考库存:40960
JANTX2N6301
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥380.2789
5:¥359.7694
10:¥355.6901
25:¥328.9543
参考库存:40963
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