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晶体管
BCR 185S H6327参考图片

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BCR 185S H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
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库存:5,796(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.034
20.34
100
¥0.85315
85.315
1,000
¥0.5763
576.3
3,000
¥0.45313
1359.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
典型电阻器比率
0.21
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
250 mW
系列
BCR185
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
50 V
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BCR185SH6327XT BCR185SH6327XTSA1 SP000757888
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BCR 185S H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 80V 2.4 MOHM PQFN56
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.436
3,000:¥13.9894
参考库存:9891
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.2318
参考库存:4021
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥6.9947
10:¥5.8308
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
4,000:¥3.0171
参考库存:5653
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥527.5857
5:¥517.8225
10:¥504.4546
25:¥494.6236
参考库存:2188
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥76.7609
10:¥69.382
25:¥66.1615
100:¥57.404
参考库存:3360
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