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晶体管
DMC205C00R参考图片

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DMC205C00R

  • Panasonic
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
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库存:6,631(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.2997
52.997
100
¥4.6443
464.43
500
¥4.1471
2073.55
3,000
¥2.2487
6746.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
15 V
集电极—射极饱和电压
50 mV
最大直流电集电极电流
50 mA
增益带宽产品fT
140 MHz
最大工作温度
+ 85 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Panasonic
集电极连续电流
20 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
400
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DMC205C00R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500V PNP HiPerf Transistor
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
2,000:¥1.5368
参考库存:16266
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥22.5887
10:¥18.7467
100:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:4069
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥669.8188
5:¥648.2245
10:¥627.941
25:¥598.6627
参考库存:16271
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
3,000:¥1.3673
参考库存:5074
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:2476
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