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晶体管
NSS12100M3T5G参考图片

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NSS12100M3T5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 12V LOW VSAT SOT723 PNP
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库存:10,729(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1301
31.301
100
¥1.9097
190.97
1,000
¥1.4803
1480.3
2,500
¥1.2656
3164
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS12100M3
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
0.5 mm
长度
1.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
单位重量
13 mg
商品其它信息
优势价格,NSS12100M3T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.831
参考库存:5085
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 80V 4.5 MOHM
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2207
1,000:¥5.989
3,000:¥5.5709
参考库存:10082
晶体管
MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:6987
晶体管
MOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥8.3733
10:¥6.9043
100:¥5.2997
500:¥4.5539
3,000:¥3.3448
6,000:查看
参考库存:10968
晶体管
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.8422
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:8302
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