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晶体管
DN2540N5-G参考图片

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DN2540N5-G

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库存:3,593(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥10.0683
100.683
25
¥8.6106
215.265
100
¥7.7631
776.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15 W
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Tube
高度
9.02 mm
长度
10.67 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.83 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,DN2540N5-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA PNP General Purpose Tran
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:33951
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
158:¥28.4308
250:¥26.9731
500:¥24.2046
1,000:¥20.4417
参考库存:47409
晶体管
MOSFET 350V 15Ohm
1:¥10.7576
10:¥10.5994
25:¥8.9157
100:¥8.1473
2,000:¥5.6161
4,000:查看
参考库存:6893
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:33958
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO
1,500:¥6.5201
4,500:¥6.2828
9,000:¥6.0342
参考库存:583608
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