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晶体管
NTGD3148NT1G参考图片

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NTGD3148NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥0.99892
2996.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms, 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
3.8 nC, 3.8 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
3 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
2 N-Channel
类型
Power Trench MOSFET
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6.2 S, 6.2 S
下降时间
1.6 ns, 1.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.2 ns, 11.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.8 ns, 12.8 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns, 7.4 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NTGD3148NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
参考库存:4678
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC
1:¥20.7468
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
1,000:¥10.2152
参考库存:4721
晶体管
MOSFET N-channel 300 V, 0.063 Ohm typ., 42 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
1,000:¥15.9782
2,000:查看
参考库存:5585
晶体管
MOSFET N-channel 30V
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:19918
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.2884
参考库存:36260
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