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晶体管
FS50R06W1E3_B11参考图片

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FS50R06W1E3_B11

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库存:2,521(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥278.7032
278.7032
5
¥275.7765
1378.8825
10
¥257.0298
2570.298
25
¥245.5038
6137.595
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
205 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R06W1E3B11BOMA1 SP000790740
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS50R06W1E3_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.137Ohm -4.6A -20V
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:46036
晶体管
MOSFET Nch 250V 51A MOSFET
1:¥30.962
10:¥26.2838
100:¥22.826
250:¥21.6734
参考库存:46039
晶体管
MOSFET 2N7002PS/SOT363/SC-88
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
参考库存:46042
晶体管
IGBT 晶体管 600V/15A/ SPM2
暂无价格
参考库存:46045
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:46048
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