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晶体管
TK100L60W,VQ参考图片

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TK100L60W,VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
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库存:1,773(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥275.6974
275.6974
5
¥228.9832
1144.916
10
¥227.2204
2272.204
25
¥222.5309
5563.2725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PL-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
360 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
797 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
26 mm
长度
20 mm
系列
TK100L60
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
125 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
690 ns
典型接通延迟时间
230 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,TK100L60W,VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:1179
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥14.4414
10:¥12.0684
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.78
2,500:¥6.78
参考库存:14118
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H
1:¥1,433.2242
5:¥1,401.2565
10:¥1,372.5884
25:¥1,352.3049
50:¥1,303.2064
参考库存:1113
晶体管
MOSFET Pch -30V Vds -2A 0.14Rds(on) 3.9Qg
1:¥4.4522
10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
参考库存:2990
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.6724
参考库存:25986
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