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晶体管
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2N3789

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
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数量单价合计
1
¥58.4775
58.4775
10
¥57.9351
579.351
25
¥52.7936
1319.84
100
¥47.6408
4764.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N3789
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
150 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N3789 PBFREE
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,2N3789的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥1,742.8894
参考库存:36738
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥99.1236
250:¥90.3661
500:¥84.524
1,000:¥77.5293
参考库存:36741
晶体管
MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.3628
250:¥23.1311
参考库存:2779
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
1:¥40.567
10:¥34.4198
100:¥29.8885
250:¥28.3517
1,000:¥21.4361
2,000:查看
参考库存:2781
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥630.3931
100:¥616.7201
参考库存:36748
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