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晶体管
SI7101DN-T1-GE3参考图片

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SI7101DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存：10,964(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.605
9.605
10
¥7.91
79.1
100
¥6.1133
611.33
500
¥5.2658
2632.9
1,000
¥4.1471
4147.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格，SI7101DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFP460LCPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥37.7307
10:¥30.3518
100:¥27.6624
500:¥22.3627
1,000:¥18.8258
参考库存:8308
FCPF4300N80Z
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SF2 800V 4.3OHM E TO220F
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0907
500:¥5.3788
参考库存:2082
CSD16415Q5T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 25V N CH MOSFET
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.1363
250:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:1453
SQP100P06-9M3L_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥22.8938
10:¥18.984
100:¥15.594
250:¥15.142
参考库存:5742
2SAR544RTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Non-isolated AC/DC Converter
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4521
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6159
参考库存:4536
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