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晶体管
TPH8R80ANH,L1Q参考图片

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TPH8R80ANH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
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数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥11.526
115.26
100
¥10.3734
1037.34
500
¥8.0682
4034.1
5,000
¥5.9777
29888.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
59 A
Rds On-漏源导通电阻
7.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
33 nC
Pd-功率耗散
61 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH8R80ANH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格，TPH8R80ANH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VP8600HR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:4719
SIHP28N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥47.3357
10:¥39.1884
100:¥32.2728
250:¥31.2784
参考库存:4972
IKD06N60RF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,000:¥5.1076
2,500:¥5.1076
参考库存:8518
TPWR8004PL,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
1:¥27.9675
10:¥22.5096
100:¥20.5208
250:¥18.5207
5,000:¥12.8368
参考库存:9451
IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.6732
250:¥16.7466
1,000:¥12.6786
2,000:查看
参考库存:4914
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